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| Artikel-Nr.:
822EL-1787595 Herst.-Nr.:
BC847BDW1T1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 380 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S- oder NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. Kleinsignal-NPN-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 45 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 380 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1787595, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BC847BDW1T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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