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Vishay TrenchFET SI2399DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A, 3-Pin SOT-23


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1807277
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2399DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
vishay diode
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,067 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TrenchFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
6 A
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,067 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
TrenchFET
Weitere Suchbegriffe: diode, sot 23 diode, 1807277, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2399DST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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