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| Artikel-Nr.: 822EL-1817351 Herst.-Nr.: BC817-16W,115 EAN/GTIN: k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 200 mW Gleichstromverstärkung min. = 100 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm
Eine große Auswahl an Geräten und Gehäusen bis hinunter auf extrem kleine Größen. Unsere einfache NPN-Transistoren sind Teil eines mehr als 300 Artikel umfassenden Portfolios für Kleinsignal-Bauelemente und perfekt für Ihre Schalt- und Verstärkungsanwendungen. Zusätzlich bieten wir eine Reihe von SMD-Gehäusen einschließlich unserem extrem kleinen Gehäuse SOT883 ohne Kabel für platzsparende Designs.Extrem kleines, kabelloses 1006-Gehäuse SOT883 (SC-101) Breite Auswahl an SMD- und bleihaltigen Gehäuseoptionen Vielzahl an doppelten und einfachen Funktionen Mehr als 300 verschiedene Produkte Für allgemeine Schalt- und VerstärkungsanwendungenNPN-Universal-Transistoren in einem sehr kleinen SMD-Kunststoffgehäuse vom Typ SOT323 (SC-70).Starkstrom Auswahl aus drei Stromverstärkungen Für allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 45 V | Gehäusegröße: | SOT-323 (SC-70) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 200 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1817351, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, BC81716W,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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