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| Artikel-Nr.: 822EL-1841006 Herst.-Nr.: MMBT5179 EAN/GTIN: k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 50 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 12 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 225 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 20 V Basis-Emitter Spannung max. = 2,5 V Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Abmessungen = 2.92 x 1.3 x 0.93mm
NPN-HF-Transistor Dieses Gerät wurde für den Einsatz in rauscharmen UHF/VHF-Verstärkern mit Kollektorströmen im Bereich von 100 mA bis 30 mA im gemeinsamen Emitter- oder gemeinsamen Basisbetrieb sowie in niederfrequenten Drift-UHF-Oszillatoren mit hoher Ausgangsleistung entwickelt. Bezogen aus Prozess 40.Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet. UHF/VHF-Verstärker UHF-Oszillatoren Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 50 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 12 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 225 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 20 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 2,5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1841006, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MMBT5179, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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