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| Artikel-Nr.:
822EL-1841157 Herst.-Nr.:
NJL1302DG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –25 A
Kollektor-Emitter-Spannung = -260 V
Gehäusegröße = TO-264
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 260 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 5
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der bipolare Leistungstransistor wurde entwickelt, um thermische Gleichgewichtsverzögerungszeiten und Bias-Trimmung in Audioverstärkeranwendungen zu eliminieren. Lag Es kann auch in anderen Anwendungen als Transistor-Matrizenschutzgerät verwendet werden.Thermisch angepasste Vorspannungsdiode zur Vermeidung von thermischem Ablaufen Sofortige thermische Vorspannungsverfolgung für überragende Klangqualität Absolute thermische Integrität Hoher sicherer Betriebsbereich Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Anwendungen: HiFi-Audioprodukte für Verbraucher Professionelle Audioverstärker Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –25 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | -260 V | Gehäusegröße: | TO-264 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 200 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 260 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 5 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1841157, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NJL1302DG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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