|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1844180 Herst.-Nr.:
BC857CWT1G EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V
Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 mW
Gleichstromverstärkung min. = 420
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –50 V
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
PNP Bipolartransistor ist für allgemeine Verstärkeranwendungen konzipiert. Er ist im Gehäuse SOT-323/SC-70 untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –45 V | Gehäusegröße: | SOT-323 (SC-70) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 420 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1844180, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BC857CWT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |