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| Artikel-Nr.: 822EL-1844732 Herst.-Nr.: BC847BPDW1T2G EAN/GTIN: k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN/PNP DC Kollektorstrom max. = 200 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT-363 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 380 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V Basis-Emitter Spannung max. = 6 V Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 200 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 45 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 380 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1844732, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BC847BPDW1T2G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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