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| Artikel-Nr.:
822EL-1844962 Herst.-Nr.:
2N4922G EAN/GTIN:
5059045339526 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 3 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V dc
Gehäusegröße = TO-225
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 30 W
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 7.8 x 3 x 11.1mm
Der Bipolar-Transistor Power 3 A, 80 V, ist für Treiberschaltungen, Schalt- und Verstärkeranwendungen konzipiert.Niedrige Sättigungsspannung - VCE(sat) = 0,6 V dc (max.) bei IC = 1,0 A Ausgezeichnete Verlustleistung - PD = 30 W bei TC = 25 °C Ausgezeichneter sicherer Arbeitsbereich Verstärkung wählbar bis IC = 1,0 A Ergänzung PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920 Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 3 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 60 V dc | Gehäusegröße: | TO-225 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 30 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 60 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 7.8 x 3 x 11.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 1844962, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, 2N4922G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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