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| Artikel-Nr.:
822EL-1858132 Herst.-Nr.:
NSVJ5908DSG5T1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 mA
Drain-Source-Spannung max. = 15 V
Gehäusegröße = MCPH
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Breite = 1.6mm
Höhe = 0.83mm
Auto-JFET für kompakte und effiziente Designs mit hoher Verstärkungsleistung. JFET- und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen.Komposittyp mit 2 JFET enthalten Große Überleitungszulassung / yfs / und rauscharmer Wert NF Der NSVJ5908DSG5 besteht aus zwei Chips, die dem NSVJ3557SA3 entsprechen und im MCPH5-Paket platziert sind. Bleifrei und halogenfrei PPAP-fähig Hohe Verlustleistung Erzielen Sie eine geringe Verzerrung Ermöglicht den Empfang von Radiowellen im Kleinen Erhebliche Verbesserung der Montageeffizienz. Umweltschutzaspekte Geeignet für den Einsatz in der Automobilindustrie. Für die Verwendung bei hohen Temperaturen aktiviert Anwendungen Am Tuner HF-Verstärker Rauscharmer Verstärker Endprodukte Autotuner Automobilantenne Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 15 V | Gehäusegröße: | MCPH | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Breite: | 1.6mm | Höhe: | 0.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1858132, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, onsemi, NSVJ5908DSG5T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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