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| Artikel-Nr.:
822EL-1867180 Herst.-Nr.:
MSC2712GT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SC-59
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 200 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 7 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3.1 x 1.7 x 1.2mm
Der Bipolartransistor NPN ist für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen konzipiert. Das Gerät ist im SC-59-Gehäuse untergebracht, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringerer Leistung ausgelegt ist.Feuchtigkeitsempfindlichkeit: 1 ESD-Schutzklasse: Noch festzulegen Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SC-59 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 200 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 7 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 3.1 x 1.7 x 1.2mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1867180, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MSC2712GT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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