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| Artikel-Nr.:
822EL-1867194 Herst.-Nr.:
NSS20501UW3T2G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 20 V
Gehäusegröße = WDFN
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,5 W
Gleichstromverstärkung min. = 250
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 2 x 2 x 0.75mm
Niedrige VCE(sat) Bipolartransistoren sind oberflächenmontierte Miniaturgeräte mit extrem niedriger Sättigungsspannung VCE(sat) und hoher Stromverstärkung. Diese sind für den Einsatz in Anwendungen mit niedriger Spannung und hoher Geschwindigkeit konzipiert, bei denen eine kostengünstige effiziente Energiesteuerung wichtig ist.Hoher Strom, niedriger VCE(sat), ESD-stabil, hohe Stromverstärkung, hohe Abschaltfrequenz, flaches Gehäuse, lineare Verstärkung (Beta) Vorteile Verbesserte Schaltungseffizienz, verkürzte Ladezeit der Batterie, geringere Anzahl von Komponenten, High Frequency Switching, kleineres tragbares Produkt, keine Verzerrung Anwendungen Lastschaltung, Aufladen der Batterie, externer Passtransistor, DC/DC-Wandler, kostenloser Treiber, Stromverlängerung und Regelung für niedrigen Abfall, Antrieb für Leuchtstoffröhren, Treiber für Peripheriegeräte - LEDs, Motoren, Relais Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 20 V | Gehäusegröße: | WDFN | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,5 W | Gleichstromverstärkung min.: | 250 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 2 x 2 x 0.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1867194, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NSS20501UW3T2G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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