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| Artikel-Nr.:
822EL-1867415 Herst.-Nr.:
MJF47G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 250 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 28,4 W
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.53 x 4.83 x 9.28mm
Der Bipolar-Hochleistungs-NPN-Transistor wurde für leitungsbetriebene Audioausgangsverstärker, Schaltnetzwerktreiber und andere Schaltanwendungen entwickelt, bei denen die Montagefläche des Geräts vom Kühlkörper oder Gehäuse galvanisch getrennt werden muss.Elektrisch ähnlich wie beim beliebten TIP47 250 VCEO(sus) 1 A Nennstrom des Kollektors Keine Trennscheiben erforderlich Geringere Systemkosten Bleifreies Gehäuse erhältlich Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 250 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 28,4 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 10.53 x 4.83 x 9.28mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, onsemi transistor, 1867415, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJF47G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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