|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1867907 Herst.-Nr.:
2N6387G EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A dc
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 1000
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 3 V dc
Länge = 10.53mm
Der Power 8A 80 V NPN Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt.Hohe DC-Stromverstärkung - hFE=2500 (Typ) @Ic=4.0 Adc Collector-Emitter-Haltespannung - @ 100 mADC, VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, VCEO (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388 Collector-Emitter-Haltespannung - @ 100 mADC, VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, VCEO (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigung - Vce(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ Ic=5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter T0-220AB Kompaktgehäuse Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 10 A dc | Kollektor-Emitter-Spannung: | 60 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 1000 | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 60 V dc | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 3 V dc | Länge: | 10.53mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1867907, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, 2N6387G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
| | |
| |