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| Artikel-Nr.:
822EL-1868482 Herst.-Nr.:
BC849BLT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 30 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1.01mm Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 30 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1868482, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BC849BLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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