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| Artikel-Nr.:
822EL-1868537 Herst.-Nr.:
BC849CLT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Gleichstromverstärkung min. = 420
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Der Bipolartransistor NPN ist für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen konzipiert. Das Gerät befindet sich im Gehäuse SOT-23, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.Feuchtigkeitsempfindlichkeit: 1 ESD-Schutzklasse - Mensch-Körper-Modell:> 4000 V. ESD-Schutzart - Maschinenmodell:> 400 V Bleifreie Gehäuse sind verfügbar S Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Anwendungen ESD-Schutz Polaritätsumkehrschutz Schutz der Datenleitung Induktiver Lastschutz Logik der Lenkung Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 420 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1868537, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BC849CLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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