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| Artikel-Nr.:
822EL-1924651 Herst.-Nr.:
STB45N30M5 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 53 A
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodendurchschlagsspannung = 1.5V
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.Extrem niedriger RDS(on) Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität Ausgezeichnetes Schaltvermögen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 53 A | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 250 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodendurchschlagsspannung: | 1.5V |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor d2-pak, 1924651, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, STMicroelectronics, STB45N30M5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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