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IXYS HiperFET, Polar IXFH96N20P N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 96 A 600 W, 3-Pin TO-247

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
822EL-193442

Hersteller:
IXYS

Herst.-Nr.:
IXFH96N20P

EAN/GTIN:
5059041201940

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 96 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 600 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 145 nC @ 10 V
Höhe = 21.46mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	96 A
Drain-Source-Spannung max.:	200 V
Gehäusegröße:	TO-247
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	24 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Verlustleistung max.:	600 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	145 nC @ 10 V
Höhe:	21.46mm

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Weitere Suchbegriffe: 193442, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH96N20P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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