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| Artikel-Nr.:
822EL-193880 Herst.-Nr.:
MII75-12A3 EAN/GTIN:
5059041162746 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 90 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = Y4 M5
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 94 x 34 x 30mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
IGBT-Module IXYS Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 90 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Gehäusegröße: | Y4 M5 | Montage-Typ: | Tafelmontage | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 7 | Transistor-Konfiguration: | Serie | Abmessungen: | 94 x 34 x 30mm | Betriebstemperatur min.: | -40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 193880, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, IXYS, MII7512A3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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