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| Artikel-Nr.:
822EL-194029 Herst.-Nr.:
IXFN80N50P EAN/GTIN:
5059041204767 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 66 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 195 nC @ 10 V
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 66 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 700 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 195 nC @ 10 V | Höhe: | 9.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 194029, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN80N50P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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