IXYS HiperFET, Polar IXFP10N80P N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 300 W, 3-Pin TO-220

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 40 nC @ 10 V
Serie = HiperFET, Polar

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS