IXYS HiperFET, Polar IXFH120N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 120 A 600 W, 3-Pin TO-247AD

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = TO-247AD
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 600 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 150 nC @ 10 V
Serie = HiperFET, Polar

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS