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IXYS HiperFET, Polar IXFN60N80P N-Kanal, Schraub MOSFET 800 V / 53 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
822EL-194350

Hersteller:
IXYS

Herst.-Nr.:
IXFN60N80P

EAN/GTIN:
5059041202381

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 53 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,04 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 25.42mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	53 A
Drain-Source-Spannung max.:	800 V
Gehäusegröße:	SOT-227
Montage-Typ:	Schraubmontage
Pinanzahl:	4
Drain-Source-Widerstand max.:	140 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Verlustleistung max.:	1,04 kW
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-30 V, +30 V
Breite:	25.42mm
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

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Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-227, 194350, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN60N80P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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