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| Artikel-Nr.:
822EL-2024780 Herst.-Nr.:
STD13N60M6 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 480 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,38 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 25V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = STD
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh-M6-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse hat geringere Schaltverluste. Es verfügt außerdem über einen niedrigeren RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation.100%ig auf Stoßentladung geprüft Zenerdioden-geschützt Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 480 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,38 O | Channel-Modus: | Depletion | Gate-Schwellenspannung max.: | 25V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | STD |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 2024780, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD13N60M6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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