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| Artikel-Nr.:
822EL-2069730 Herst.-Nr.:
TK099V65Z,LQ(S EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = DFN8x8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 0,09 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TK099V65Z
Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität. Er wird hauptsächlich in Schaltnetzteilen verwendet.Niedriger Durchlasswiderstand der Quelle 0,08? Lagertemperatur: -55 bis 150 °C. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | DFN8x8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,09 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | TK099V65Z |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 2069730, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK099V65Z,LQ(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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