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| Artikel-Nr.:
822EL-2074960 Herst.-Nr.:
CM150TX -24T #300G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 150
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 6
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = PCB-Montage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Das Mitsubishi Electric 1200 V IGBT-Modul verfügt über einen flachen Sockel und sechs Treiber pro Modul mit IGBT-Unterbrechung. Er hat einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 100 A und ist für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Wechselrichter, Motorsteuerung und industrielle Antriebe geeignet.Terminal mit verzinntem Stift Verwendete Kupfergrundplatte Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 150 | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 6 | Gehäusegröße: | Modul | Montage-Typ: | PCB-Montage | Channel-Typ: | N | Transistor-Konfiguration: | 3-phasig |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2074960, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Mitsubishi Electric, CM150TX24T#300G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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