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Infineon 600V CoolMOS G7 SJ IPT60R102G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2144426
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPT60R102G7XTMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = HSOF-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,102 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 600V CoolMOS G7 SJ
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
23 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
HSOF-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,102 O
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
600V CoolMOS G7 SJ
Weitere Suchbegriffe: 2144426, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPT60R102G7XTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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