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| Artikel-Nr.:
822EL-2172497 Herst.-Nr.:
IPAN60R650CEXKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 650 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)Reduzierte gespeicherte Energie Ausgangskapazität (E oss) Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr) Optimierte integrierte R g. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 650 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 2172497, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPAN60R650CEXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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