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| Artikel-Nr.:
822EL-2183049 Herst.-Nr.:
IPD50R500CEAUMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,5 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 500V CoolMOS™ CE Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,5 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 500V CoolMOS™ CE |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 2183049, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD50R500CEAUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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