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| Artikel-Nr.:
822EL-2184320 Herst.-Nr.:
FF1200R12IE5PBPSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 1,2 kA
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = Prime2
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 10
Transistor-Konfiguration = Dual
Das Infineon PrimePACK Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT5- und .XT-Verbindungstechnologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V. Die N-Kanal Trenchstop- und Feldstop-IGBT-Module sind für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Hochleistungswandler, USV-System, Motorantriebe und Solaranwendungen geeignet.Kupferverbindungen für hohe Strombelastbarkeit Sintern von Chips für höchste Leistungszyklusfähigkeiten Gesamtverluste um bis zu 20 % reduziert Geringerer Kühlaufwand für gleiche Ausgangsleistung Ermöglicht höhere Systemüberlastbedingungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 1,2 kA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 2 | Gehäusegröße: | Prime2 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 10 | Transistor-Konfiguration: | Dual |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2184320, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FF1200R12IE5PBPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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