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| Artikel-Nr.:
822EL-2184342 Herst.-Nr.:
FF600R12ME4EB11BOSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = ECONODUAL
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 13
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Das Infineon EconoDual Common Emitter IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4-Technologie mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und Kollektorstrom von 600 A. Er wird in Motorsteuerung und Antrieben, Solaranwendungen und USV-Systemen eingesetzt.3-stufige NPC2-Konfiguration basierend auf dem bewährten EconoDUAL TM 3-Gehäuse Gemäß UL-Anforderungen für 1500-V-Solarwechselrichter Kompakte Module Einfache und zuverlässigste Montage Keine Stecker und Kabel erforderlich Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 600 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 2 | Gehäusegröße: | ECONODUAL | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 13 | Transistor-Konfiguration: | Single & Common Emitter |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2184342, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FF600R12ME4EB11BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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