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| Artikel-Nr.:
822EL-2184390 Herst.-Nr.:
IGB50N65H5ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 270 W
Gehäusegröße = TO-263
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Die Infineon Trenchstop IGBT5-Technologie definiert den klassenbesten IGBT neu, was zu einer niedrigeren Verbindungs- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V und einen Kollektorstrom von 80 A.Höhere Leistungsdichte 50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen Leichter positiver Temperaturkoeffizient Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 270 W | Gehäusegröße: | TO-263 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2184390, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGB50N65H5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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