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| Artikel-Nr.:
822EL-2184818 Herst.-Nr.:
RF3L05150CB4 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 90 V
Serie = RF3L05150CB4
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 1 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der STMicroelectronics xxxx ist der Art-LDMOS-FET, der für Breitbandkommunikation und ISM-Anwendungen mit Frequenzen von HF bis 1 GHz entwickelt wurde. Dieses Produkt findet auch Anwendung in kommerziellen 136-174-MHz-Massekommunikation und 30-512-MHz-Jammer-, Boden-/Luftkommunikationssystemen.Verfügt über integrierten ESD-Schutz Mit hohem Wirkungsgrad und linearer Verstärkung Erfüllt die EU-Richtlinie 2002/95/EG Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 90 V | Serie: | RF3L05150CB4 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2184818, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, RF3L05150CB4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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