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| Artikel-Nr.:
822EL-2224381 Herst.-Nr.:
SP8M4HZGTB EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 7 A, 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,018 OMH, 0,028 OMH
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = SP8M4
Der Rohm SP8M4HZG n MOSFET für die Automobilindustrie, der EC-Q101-zertifiziert ist. NCH+Pch 30-V-MOSFETs mit ESD-Schutzdiode sind im SOP8-Gehäuse enthalten. Ideal für Schaltanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Kleines SMD-Gehäuse (SOP8) Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform AEC-Q101-qualifiziert Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 7 A, 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,018 OMH, 0,028 OMH | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | SP8M4 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224381, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, SP8M4HZGTB, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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