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| Artikel-Nr.:
822EL-2224770 Herst.-Nr.:
1EDS5663HXUMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Logik-Typ = NMOS
Ausgangsstrom = 8 A
Versorgungsspannung = 4V
Pinanzahl = 16
Gehäusegröße = PG-DSO-16-30
Der neue einkanalige galvanisch isolierte Gate-Treiber-IC 1EDS5663H von Infineon ist perfekt für Anreicherungs-(e-mode) Gallium-Nitrid-(GaN)-HEMTs mit nicht isoliertem Gate (Diodeneingangskennlinie) und niedriger Schwellenspannung, wie CoolGaN. Er sorgt für einen robusten und hocheffizienten Hochspannungs-GaN-Schalterbetrieb bei gleichzeitiger Minimierung des F&E-Aufstrengungen und Verkürzung der Markteinführungszeit.Niederohmige Ausgänge Einkanalige galvanische Trennung Integrierte galvanische Trennung Weitere Informationen: | | Logik-Typ: | NMOS | Ausgangsstrom: | 8 A | Versorgungsspannung: | 4V | Pinanzahl: | 16 | Gehäusegröße: | PG-DSO-16-30 |
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| Weitere Suchbegriffe: Treiber-IC, mosfet infineon, mosfet, 2224770, Halbleiter, Stromversorgung, Gate-Treiber, Infineon, 1EDS5663HXUMA1, Semiconductors, Power Management ICs, Gate Drivers |
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