|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-2224878 Herst.-Nr.:
IPA60R160P7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = IPA60R Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 160 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | IPA60R |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 2224878, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R160P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |