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| Artikel-Nr.:
822EL-2236375 Herst.-Nr.:
RQ7G080ATTCR EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TSMT-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,018 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat das TSMT8-Gehäuse. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | TSMT-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,018 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 2236375, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RQ7G080ATTCR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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