STMicroelectronics STWA68N65DM6AG N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 72 A, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 72 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,039 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2

Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.Gehäusediode mit schneller Erholung Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand 100%ig auf Stoßentladung geprüft Extrem hohe dv/dt-Robustheit Zenerdioden-geschützt629