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Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO263 N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2266063
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IGB50N65S5ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt infineon
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 30V
Verlustleistung max. = 270 W
Gehäusegröße = PG-TO263
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
30V
Verlustleistung max.:
270 W
Gehäusegröße:
PG-TO263
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Weitere Suchbegriffe: 2266063, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGB50N65S5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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