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| Artikel-Nr.: 822EL-2266098 Herst.-Nr.: IKD10N60RATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO252 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 20 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | PG-TO252 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: 2266098, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKD10N60RATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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