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Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2266100
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKD15N60RFATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt infineon
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 250 W
Gehäusegröße = PG-TO252
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
30 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
250 W
Gehäusegröße:
PG-TO252
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Weitere Suchbegriffe: 2266100, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKD15N60RFATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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