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| Artikel-Nr.:
822EL-2266105 Herst.-Nr.:
IKP39N65ES5XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 62 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 30V
Anzahl an Transistoren = 1
Konfiguration = Single
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der Infineon IKP39N65ES5 hat die höchste Leistungsdichte in TO-220-Abmessungen und benötigt keine Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.Sehr niedriger VCEsat von 1,45 V bei 25 °C 4-facher Ic-Impulsstrom (100 °C Tc) Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C. Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 62 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | 30V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Konfiguration: | Single | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: 2266105, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKP39N65ES5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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