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| Artikel-Nr.:
822EL-2266107 Herst.-Nr.:
IKP40N65F5XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 30V
Verlustleistung max. = 255 W
Gehäusegröße = PG-TO220
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der Infineon IkP40N65F5 ist ein 650-V-Hochgeschwindigkeits-IGBT mit harter Schaltgeschwindigkeit, der mit der Rapid-i-Dioden-Technologie zusammengesteckt wird. Es hat eine höhere Leistungsdichte und verfügt über niedrige CoEs/EOSS.Faktor 2,5 niedriger Qg Reduzierung der Schaltverluste um Faktor 2 200 mV Reduzierung des VCEsat Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 74 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | 30V | Verlustleistung max.: | 255 W | Gehäusegröße: | PG-TO220 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: 2266107, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKP40N65F5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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