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| Artikel-Nr.: 822EL-2291825 Herst.-Nr.: IPC100N04S5L1R9ATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0019 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = IPC Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SuperSO8 5 x 6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0019 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | IPC |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 2291825, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPC100N04S5L1R9ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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