|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-2291835 Herst.-Nr.:
IPD85P04P4L06ATMA2 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 85 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = OptiMOS™ -T2
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0064 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Logikpegel, der für Kfz-Anwendungen verwendet wird. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es handelt sich um robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 85 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | OptiMOS™ -T2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0064 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2291835, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD85P04P4L06ATMA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |