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| Artikel-Nr.:
822EL-2291837 Herst.-Nr.:
IPD90N04S4L04ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0038 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = IPD
Der Infineon n-Kanal-Leistungs-MOSFET für den normalen Betrieb, der für Kfz-Anwendungen verwendet wird. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es handelt sich um robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 90 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0038 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | IPD |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 2291837, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD90N04S4L04ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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