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Mitsubishi IGBT-Modul / 100 A 20V max. Dual, 600 V 775 W 94 x 34 mm


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2332427
Hersteller:
     Mitsubishi
Herst.-Nr.:
     CM100DY-13T#300G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module mitsubishi
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 775 W
Gehäusegröße = 94 x 34 mm
Transistor-Konfiguration = Dual
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
100 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
775 W
Gehäusegröße:
94 x 34 mm
Transistor-Konfiguration:
Dual
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2332427, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Mitsubishi Electric, CM100DY13T#300G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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