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| Artikel-Nr.:
822EL-2352685 Herst.-Nr.:
R6507END3TL1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,665 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,665 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2352685, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, R6507END3TL1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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