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| Artikel-Nr.: 822EL-2352686 Herst.-Nr.: R6507END3TL1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,665 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,665 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 2352686, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, R6507END3TL1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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