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| Artikel-Nr.:
822EL-2363627 Herst.-Nr.:
TPH2R608NH,L1Q(M EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 168 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Gehäusegröße = SOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 2,6 e+006 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 168 A | Drain-Source-Spannung max.: | 75 V | Gehäusegröße: | SOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,6 e+006 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2363627, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPH2R608NH,L1Q(M, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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