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Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. Dual, 1200 V 5,1 kW


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2445831
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF900R12IP4BOSA2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 2
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
900 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Anzahl an Transistoren:
2
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445831, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FF900R12IP4BOSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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